企业简介
润奥电子（扬州）制造有限公司是晶闸管芯片、晶闸管、整流管芯片、整流管、模块、组件、旋转整流管、焊接式整流管等产品专业生产加工的有限责任公司(自然人投资或控股),公司总部设在江苏扬州广陵产业园创业园B2厂房,润奥电子（扬州）制造有限公司拥有完整、科学的质量管理体系。润奥电子（扬州）制造有限公司的诚信、实力和产品质量获得业界的认可。欢迎各界朋友莅临润奥电子（扬州）制造有限公司参观、指导和业务洽谈。
润奥电子（扬州）制造有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 9544689 |  |
RUNAU | 2011-06-01 | 半导体；半导体器件；传感器；电容器；互感器；集成电路；晶体管(电子)；逆变器(电)；整流器；整流用电力装置 | 查看详情 |
润奥电子（扬州）制造有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205096062U | 一种匀胶卡盘 | 2016.03.23 | 本实用新型涉及一种匀胶卡盘，包括卡盘本体，所述卡盘本体具有真空通道，所述卡盘本体端面圆周上均匀设有至 |
| 2 | CN205050820U | 一种旋转夹具 | 2016.02.24 | 本实用新型涉及一种旋转夹具，包括环形承片台，在所述环形承片台上端边缘均匀设有至少两个环形凸起，所述环 |
| 3 | CN205050840U | 一种晶闸管的门极 | 2016.02.24 | 本实用新型涉及一种晶闸管的门极，包括门极区1，所述门极区1向外依次设有放大门极区2和阴极区3，所述门 |
| 4 | CN205050807U | 一种烧结模具 | 2016.02.24 | 本实用新型涉及一种烧结模具，包括模具本体，所述模具本体为圆筒型，且模具本体底部开设有通气孔，所述模具 |
| 5 | CN205043644U | 一种喷硼源支架 | 2016.02.24 | 本实用新型涉及一种喷硼源支架，包括支撑板、支撑杆、氮气喷头、硼源管和烧杯支架，支撑板上垂直连接有支撑 |
| 6 | CN205043658U | 一种石英管闭管支架 | 2016.02.24 | 本实用新型主要涉及一种石英管闭管支架，其特征在于，包括夹具板、滑块、轨道板和支腿，夹具板上间隔设有两 |
| 7 | CN104051547A | 一种高压快速软恢复二极管及其制备方法 | 2014.09.17 | 本发明涉及一种高压快速软恢复二极管，包括有源区和终端区两部分；所述有源区的n<sup>-</sup> |
| 8 | CN102184850B | 用于制备半导体器件的深结扩散方法 | 2012.11.21 | 用于制备半导体器件的深结扩散方法，包括如下步骤：第一，在用作扩散源的氧化镓粉末中加入0.2-1.0g |
| 9 | CN102683201A | 低压超大电流整流管制造方法 | 2012.09.19 | 本发明涉及一种低压超大电流整流管制造方法，属于半导体器件制造技术领域，本发明通过采用NN+外延片作为 |
| 10 | CN102637598A | 一种制备大功率半导体器件管芯的方法 | 2012.08.15 | 本发明涉及一种制备大功率半导体器件管芯的方法，属于半导体器件制造技术领域，包括以下步骤：（1）将钼片 |
| 11 | CN202120918U | 压接式IGBT器件 | 2012.01.18 | 压接式IGBT器件，包括并联的多个单元器件（1），每个所述单元器件（1）包括依次层叠的发射极钼片（1 |
| 12 | CN202120919U | 大功率晶闸管芯片 | 2012.01.18 | 大功率晶闸管芯片，该大功率晶闸管芯片的放大门极（1）表面上依次覆盖并固化有两层有机绝缘膜，该两层有机 |
| 13 | CN202120921U | 整流管芯片 | 2012.01.18 | 整流管芯片，包括依次层叠的钼片层（5）、电阻率为10-15Ωcm的外延片高阻层、P型半导体层（1）以 |
| 14 | CN102201340A | 晶闸管芯片的双正角台面成形方法 | 2011.09.28 | 晶闸管芯片的双正角台面成形方法，包括如下步骤：第一，选用并处理砂轮刀片：使得该砂轮刀片的形状与所述晶 |
| 15 | CN102184850A | 用于制备半导体器件的深结扩散方法 | 2011.09.14 | 用于制备半导体器件的深结扩散方法，包括如下步骤：第一，在用作扩散源的氧化镓粉末中加入0.2-1.0g |
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